近十年来，在业内同行的希望下，晶体硅光伏电池的光电切换效率一路下降，由本世纪最初几年的15%到现在的相似20%，更加相似单结晶体硅电池的理想计算出来效率。但是在将光伏电池组装有成光伏组件时，由于光路的损耗、面积的损耗、以及串联电阻的损耗，往往使光伏组件的切换效率高于光伏电池的切换效率。为了超过让光伏组件的切换效率相似甚至多达光伏电池的光电切换效率，除了增加由于PCB引发的各种损耗外，还应该在PCB过程中设法减少电池接管到的有效地光能。　　从背板材料上考虑到，使组件背板不仅分担对电池和环境的有效地防水和隔绝的功能，而且为减少电池有效地接管光辐射作出贡献，从而超过最后提升光伏组件可靠性、减少电功率输入的目的。

　　为了超过这个目的，首先分析一下光伏组件PCB的功率损失和有可能的增益，转身如图1：　　图1光伏组件PCB的能量损失和增益　　图1中，假设光伏电池的光电切换效率是20%，PCB成组件后，首先，由于组件面积小于电池总面积，损失了2个百分点的全面积效率；其次，由于玻璃的透明吸取损失了0.5个百分点；EVA胶膜透明吸取损失0.5个百分点；第三，网络条/汇流引向条的电阻损失1个百分点。总共损失了大约4个百分点。

　　增益方面，第一，电池经PCB后，由玻璃表面膜-玻璃-EVA-电池腐蚀膜-硅构成一个逆折射率的光学系统，这样一个系统可以增加电池表面的光反射，一般越是表面反射率低的电池，这个增益就越明显。目前常规工艺的晶体硅电池，这个增益可超过1.5个百分点；　　图2光伏组件的光路系统有助减少总反射率　　第二，背板的反射率也有助减少电池的光吸收，马上吸取之后利用电池的长波红光和近红外光经背板光线不会再度转入电池唤起载流子。

电池片间隙处的入射光也不会再度经光线转入电池，这一块约减少了1个百分点的效率。　　这样算下来，20%的光伏电池到这儿为止，大约光伏组件的效率就剩下17.5%了。要减少光伏组件的电能输入，就应当增加PCB损失，减少PCB增益。

换句话说，只要我们把以上几个环节作好，该增加的增加，能提高的提高，光伏组件的效率就能超过17.5%以上。　　但是，要想要使光伏组件的光电切换效率多达电池的切换效率，光靠挖出以上潜力还是过于的，我们还要借助光削减技术。

所谓光削减技术，就是一般来说所说的长波光的上切换技术和短波光的下切换技术。把个技术作好了，再行把其他的技术作好了，则光伏组件的光电切换效率就几乎有可能多达光伏电池的光电切换效率。分别辩论如下。

　　一、增加光伏组件的非活性面积　　光伏电池在组件中PCB时腾出的间隙主要是考虑到电荷元件与导体间的爬到电距离拒绝和工艺构建的拒绝。工艺构建拒绝腾出电池片网络条上下穿越的间隙，不使电池片间必要短路，不使有一定截面积的网络条在电池边缘产生应力集中现象。为了使网络条不出电池的边缘产生可选形变，电池片间一般要留2-3mm的间隙；爬到电距离则是电气法规的拒绝腾出的。

　　现在大家都在做到1500V系统电压的光伏组件，而且经过论证，解释1500V系统电压的光伏电站，尤其是大型荒漠电站，比1000V系统电压的光伏电站要节省好多材料费用和加装费用，提升变电系统的传输、切换效率，经济效益还是较为显著的。但是系统电压的提升对光伏组件的爬到电距离的拒绝也明显提高了。

　　1000V系统电压的光伏组件，设计爬到电距离是8.4mm乘一个安全系数，一般拒绝是15mm-16mm。如果是1500V系统电压的组件，这个距离就是25mm。

这个距离的减小，必定增大光伏组件的非活性（也就是不发电的）面积，减少组件了的光电切换效率。　　正在辩论中的UL/TUV标准（图3）中，得出了增大这一距离的必要条件，这就是组件的聚合物背板要具备更加高级别的CTI测试值，取得更高的IPT值。大家告诉，一般的聚合物手册中或聚合物薄膜供应商得出的PE、PO、PVDF、PET等材料的CTI值不多达400V。

明冠新材料科技有限公司因为是自己生产的背板内层PO/PE膜，可以通过调整配方和工艺超过提升背板CTI值的目的，公司1500V系统电压光伏组件背板，在行业内首度通过了最高级别的600VCTI测试，为期望通过研发1500V系统电压光伏组件，取得1500V光伏系统高效、低可信、低成本的优点，又想减少光伏组件尺寸、不期望减少光伏组件效率的的光伏组件生产商获取了一个选项（图3）。

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